硅管和锗管的区别,如何判断这两个三极管是PNP型还是NPN型，硅管

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SB5200二极管是硅管还是锗管

1、应该是1N。这是国外很多国家采用的半导体器件命名方法，1代表器件中有一个PN结，N代表材料，是N型硅半导体。是产品代。 2、上面说了，是硅管。 3、二极管的工作原理就是利用外电场抵消PN结形成电势垒使电流通过，那个压降主要就是抵消电势垒产生的。(如果极性接反会增强电势垒，电流不会通过，这叫“截止”)

锗二极管和硅二极管的特性区别

经测半控桥中的二极管的正向导通压降为375mA--压降怎能是mA？再就是锗管的压降比硅管的要小，理论上锗管是0.3V，硅管是0.7V，但实际中测量硅管压降也能在0.3V左右，这是正常的，不能说测量为0.375V就判断为锗管的，现在的半桥全部是硅管的，没有锗管的，锗管的功率不能跟硅管比。

硅二极管和锗二极管有什么异同？

硅和锗两种二极管的特性曲线，两者有以下几点差异 1） 硅二极管反向电流比锗二极管反向电流小的多，锗管为mA级，硅管为nA级。这是因为在相同温度下锗的ni比硅的ni要高出约三个数量级，所以在相同掺杂浓度下硅的少子浓度比锗的少子浓度低的多，故硅管的反向饱和电流Is很小。 2） 在正向电压很小时，通过二极管的电流很小，只有正向电压达到某一数值Ur后，电流才明显增长。通常把电压Ur称为二极管的门限电压，也称为死区电压或阈值电压。由于硅二极管的Is远小于锗二极管的Is，所以硅二极管的门限电压大于锗二极管的门限电压。一般硅二极管的门限电压约为0.5V~0.6V, 锗二极管的门限电压约为0.1V~0.2V。

怎样判断三极管是硅管还是锗管

判断方法 判断一般硅管PN结的电压为0．6～0．7 V.锗管PN结的电压为 0．2～0．3V,还有一点比较实用，就是受科技与工艺的限制，制造NPN的硅管比PNP的要容易得多，而锗管是PNP要比NPN容易，，市面上的NPN硅管比PNP多得多，而PNP的锗管要比NPN的多得多，尤以锗管为甚。 凭此，当拿到一个与众不同的管子时(以前的锗管基本都是金属外壳园柱型封装直径5mm长10mm三个脚的),基本可按PNP锗管来测。 扩展资料 三极管组成原则 1，保证放大电路的核心器件三极管工作在放大状态，即有合适的偏置。也就是说发射结正偏，集电结反偏。 2，输入回路的设置应当使输入信号耦合到三极管的输入电极，形成变化的基极电流，从而产生三极管的电流控制关系，变成集电极电流的变化。 3，输出回路的设置应该保证将三极管放大以后的电流信号转变成负载需要的电量形式（输出电压或输出电流）。 参考资料来源百度百科-三极管

怎样区分三极管材料是硅还是锗

区分三极管材料是硅还是锗的方法 　　1、用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。 　　表示三极管时A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 　　表示二极管时A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。 　　2、测量死区电压。 　　硅管为0.5V,锗管为0.1V。截止时的穿透电流,硅管为微安以下,锗管为几十到几百微安。

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